2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 130 mΩ, 2 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
165-5552
Codice costruttore:
BSL308PEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Larghezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione di sorgente di drenaggio 30 V, corrente di drenaggio continua massima 2 A - BSL308PEH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale P progettato per applicazioni a montaggio superficiale nell'elettronica automobilistica e industriale. Offre funzionalità di commutazione per ambienti ad alta temperatura ed è fornito in un pacchetto TSOP compatto a 6 pin con elementi doppi su un singolo chip, adatto per assemblaggi di circuiti con limiti di spazio.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza all'accensione di 130 mΩ riduce le perdite di conduzione
• Valutato per una tensione di drenaggio-sorgente di 30 V che consente l'uso del sistema da 30 V
• La capacità di corrente di drenaggio continua di 2 A supporta carichi moderati
• Carica gate tipica di -5 nC a Vgs per una risposta di commutazione più rapida
• La dissipazione di potenza di 500 mW consente una gestione termica affidabile
• Certificazione AEC‐Q101 per prestazioni di sollecitazione nel settore automobilistico

Applicazioni


• Adatto per interruttori di potenza automobilistici ad alta temperatura
• Ideale per la commutazione del carico nei sistemi di gestione della batteria
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono dispositivi a canale P
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione della polarità a doppio canale
• Adatto per schede di distribuzione dell'alimentazione compatte a montaggio superficiale

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?


La tensione gate‐to‐source non deve superare i 20 V in entrambe le polarità per evitare la sollecitazione del dispositivo.

Quanti transistor sono contenuti sul chip e cosa ne consente l'utilizzo?


Ci sono due elementi a canale P per chip, consentendo la commutazione accoppiata o layout a doppio canale semplificati.

Quale intervallo di temperatura ambiente può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per il funzionamento da -55 °C fino a 150 °C per applicazioni con temperature di giunzione elevate.

In che modo il pacchetto influisce sul posizionamento e sull'instradamento della scheda?


Il pacchetto di superficie TSOP a 6 pin riduce al minimo l'ingombro della scheda e semplifica il routing termico e del segnale per progetti compatti.

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