2 MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P, 950 mA 20 V, US, Montaggio superficiale Miglioramento, 6 Pin BSD235CH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0523
Codice costruttore:
BSD235CH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

950mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

US

Serie

BSD235C

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

1.20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSD235C, tensione massima drain-source 20 V, corrente di drenaggio continua massima 0,95 A - BSD235CH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor a doppia modalità di miglioramento progettato per applicazioni compatte e di livello automobilistico. Integra elementi a canale N e a canale P su un singolo chip all'interno di un pacchetto SOT‐363 a 6 pin, consentendo attività di commutazione e segnale a ingombro ridotto. Il dispositivo è specificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature, adatta agli ambienti più difficili, ed è conforme alle restrizioni ambientali sui materiali.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 0.95 A supporta carichi di corrente moderati
• Il valore nominale gate-source di 1,2 V consente il funzionamento del gate drive a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 0,5 W consente un budget termico compatto
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente un uso ambientale elevato

Applicazioni


• Adatto per la commutazione del carico automobilistico in spazi ristretti
• Ideale per stadi di segnale push-pull complementari
• Utilizzato con logica di controllo a bassa tensione per l'azionamento del gate
• Può essere utilizzato per la gestione ridondante dell'alimentazione a doppio elemento
• Utilizzato per progetti di schede compatte che richiedono la conformità alla direttiva RoHS

Quanti elementi a transistor sono integrati sul chip?


Contiene due elementi, uno a canale N e uno a canale P.

Quale numero di pin e contenitore è necessario pianificare nel layout del circuito stampato?


Il dispositivo utilizza un ingombro SOT‐363 a 6 pin per il montaggio superficiale.

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?


L'intervallo di funzionamento consentito va da -55 °C a 150 °C.

Il dispositivo è adatto nei casi in cui si applicano restrizioni relative ai materiali?


È conforme ai requisiti dei materiali RoHS ed è progettato di conseguenza.

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