MOSFET Infineon, canale N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS214NWH6327XTSA1
- Codice RS:
- 165-5863
- Codice costruttore:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,097 € | 291,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5863
- Codice costruttore:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-70 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 250mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -12V, +12V | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Altezza | 800μm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-70 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Altezza 800μm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - BSS214NWH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 250 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di commutazione
• La carica gate tipica di 0,8 nC supporta transizioni gate veloci
• La corrente di drenaggio continua di 1,5 A gestisce correnti di carico modeste
• La dissipazione massima di 500 mW consente una copertura termica sicura
• La soglia del gate a 12 V massimizza la flessibilità del gate drive
Applicazioni
• Ideale per la gestione della batteria e la disconnessione del carico
• Utilizzato con logica di controllo nei moduli di alimentazione distribuiti
• Può essere utilizzato per piccoli stadi di convertitore CC-CC
• Adatto per la commutazione del percorso di alimentazione dei dispositivi portatili
Quale intervallo termico può tollerare in ambienti estremi?
Quanto è compatto per layout di schede ad alta densità?
Quali sono i limiti del gate drive che i progettisti devono rispettare?
Come si comporta il dispositivo sotto carico continuo?
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