Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS214NWH6327XTSA1

Codice RS:: 165-5863
Codice costruttore:: BSS214NWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS214NWH6327XTSA1

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

282,00 €

(IVA esclusa)

345,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 3000 unità in spedizione dal 31 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,094 €	282,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5863
Codice costruttore:: BSS214NWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	SC-70
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	250mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.8nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.8mm
	Lunghezza	2mm
	Larghezza	1.25mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package SC-70
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.8nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.8mm
	Lunghezza 2mm
	Larghezza 1.25mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: CN

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.