MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 25 Ω Miglioramento, 150 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie

Codice RS:: 826-9945
Codice costruttore:: BSS84PWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 25 Ω Miglioramento, 150 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 500 unità*

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Codice RS:: 826-9945
Codice costruttore:: BSS84PWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	150mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SC-70
	Serie	SIPMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	25Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.12V
	Dissipazione di potenza massima Pd	300mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.25mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2mm
	Altezza	800μm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 150mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SC-70
	Serie SIPMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.12V
	Dissipazione di potenza massima Pd 300mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.25mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2mm
	Altezza 800μm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 150 mA - BSS84PWH6327XTSA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per applicazioni compatte a montaggio superficiale in contesti automobilistici e industriali. Controlla e commuta piccole correnti a tensioni moderate mentre funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente una capacità di commutazione a tensione moderata
• La corrente di drenaggio continua di 150 mA supporta i circuiti a bassa potenza
• Rds massimo di 25 Ω riduce le perdite nella commutazione di carichi leggeri
• La dissipazione di potenza di 300 mW consente una gestione termica sostenuta
• La tolleranza del gate di 20 V consente livelli di gate drive flessibili
• La carica gate tipica 1nC garantisce una commutazione rapida e a bassa energia

Applicazioni

• Adatto per la commutazione del carico nei moduli di controllo automobilistici
• Ideale per il passaggio di livello nei circuiti di interfaccia dei sensori
• Utilizzato con la gestione della batteria per percorsi a bassa corrente
• Può essere utilizzato per la commutazione di protezione in unità telematiche
• Adatto per percorsi di alimentazione dell'elettronica di consumo compatti

Quale intervallo ambientale può tollerare nei sistemi implementati?

Funziona da -55 °C a 150 °C, coprendo condizioni di avvio a freddo prolungato e alta temperatura sotto il cofano.

Quale contenitore è adatto per layout di circuiti stampati ad alta densità?

Viene fornito in un contenitore SC-70 a tre pin per montaggio superficiale che misura 1,25 x 2 mm per una distanza ridotta tra i componenti.

In che modo la carica del gate influisce sui requisiti di azionamento?

Con un Qg tipico di 1 nC, i driver a bassa corrente standard possono commutare rapidamente con un consumo energetico minimo.

È compatibile con gli standard di affidabilità del settore automobilistico?

Soddisfa la qualifica AEC-Q101 appropriata per molti sottosistemi elettronici dei veicoli.