MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 2.1 Ω Miglioramento, 310 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS223PWH6327XTSA1

Codice RS:: 165-5861
Codice costruttore:: BSS223PWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 2.1 Ω Miglioramento, 310 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS223PWH6327XTSA1

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Codice RS:: 165-5861
Codice costruttore:: BSS223PWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	310mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SC-70
	Serie	OptiMOS P
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2.1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.5nC
	Tensione diretta Vf	-1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.25mm
	Lunghezza	2mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	0.8mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 310mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SC-70
	Serie OptiMOS P
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.5nC
	Tensione diretta Vf -1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.25mm
	Lunghezza 2mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 0.8mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, 310 mA di corrente di scarico continua massima, 250 mW di dissipazione di potenza massima - BSS223PWH6327XTSA1

Questo MOSFET è un elemento cruciale nei circuiti elettronici, in quanto funge da interruttore o amplificatore in numerose applicazioni. Il suo design a canale P e le sue caratteristiche di modalità enhancement consentono un efficiente controllo della corrente nei sistemi elettronici montati in superficie. La capacità di funzionamento ad alta temperatura del componente lo rende adatto alle applicazioni automobilistiche e industriali in cui le prestazioni in condizioni estreme sono essenziali.

Caratteristiche e vantaggi

• Migliora l'efficienza con la bassa resistenza all'accensione di 1,2Ω

• Supporta operazioni ad alta temperatura fino a 150°C

• Offre prestazioni robuste con una tensione massima di 20 V

• Adatto alla commutazione ad alta velocità con tempi di ritardo minimi

• Conforme agli standard AEC-Q101 per le applicazioni automobilistiche

• Garantisce un funzionamento costante con caratteristiche di bassa carica del gate

Applicazioni

• Carichi di guida nel settore automobilistico

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici

• Implementato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per l'elettronica di consumo

• Impiegato negli amplificatori per dispositivi audio ed elettronici

• Applicato in diversi sistemi di automazione che richiedono una commutazione efficiente

Qual è la corrente massima che il componente può gestire?

La corrente di drenaggio continua massima che può gestire è di 310mA a 25°C, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni specifiche.

Come è ottimizzato questo componente per gli ambienti ad alta temperatura?

È stato progettato per resistere a temperature di esercizio fino a +150°C, rendendolo adatto all'uso in applicazioni difficili.

Che tipo di montaggio è previsto per questo transistor?

Questo componente è destinato al montaggio in superficie, facilitando l'integrazione in sistemi elettronici compatti.

È conforme agli standard automobilistici?

Sì, è qualificato secondo la norma AEC-Q101 e soddisfa i rigorosi standard di affidabilità per le applicazioni automobilistiche.

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™

I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.