MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 800 mΩ Miglioramento, 620 mA, 3 Pin, SC-59, Superficie

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Codice RS:
215-2468
Codice costruttore:
BSR315PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

620mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-59

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 620 mA - BSR315PH6327XTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione e il controllo del segnale in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione della corrente continua modesta e una bassa perdita di potenza in un piccolo pacchetto SC‐59. Il componente è adatto nei casi in cui è richiesto un elemento di commutazione a bassa carica di gate e una capacità di gate drive semplice.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio massima di 60 V consente la commutazione a tensione più elevata
• Rds(on) di 800 mΩ riduce le perdite di conduzione a basse correnti
• La corrente di drenaggio continua di 0,62 A supporta carichi a segnale ridotto
• La carica gate tipica di 6 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• Dissipazione di potenza di 0,5 W adatta a progetti a montaggio superficiale a bassa potenza
• Valore nominale da -55 °C a 150 °C per ambienti a temperatura estesa

Applicazioni


• Utilizzato per circuiti di protezione della batteria a bassa tensione
• Adatto per la commutazione del percorso di alimentazione dei dispositivi portatili
• Ideale per il controllo della polarità del livello del segnale nei moduli
• Può essere utilizzato per piccoli stadi di gate con azionamento a motore
• Utilizzato con gruppi SMD con gestione termica limitata

Quali limitazioni del gate‐drive devo considerare?


Il gate può essere azionato fino a ±20 V rispetto alla sorgente, quindi assicurarsi che i circuiti gate-drive rimangano all'interno di questo intervallo di tensione.

In che modo l'ambiente termico influisce sulla gestione della corrente continua?


Il limite di dissipazione di 0,5 W limita la corrente a temperature ambientali elevate

per mantenere una corrente continua di 0,62 A è necessario un'adeguata protezione termica o riduzione della potenza del circuito stampato.

Quali sono le considerazioni di montaggio per l'assemblaggio?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SC‐59 con tre pin, pertanto si consiglia di utilizzare profili SMD standard a riflusso e il corretto design del modello di terra.

Questo dispositivo è adatto per i programmi di specifiche automobilistiche?


Non è classificato secondo gli standard automobilistici e non deve essere specificato nei casi in cui è richiesta la certificazione di livello automobilistico.

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