MOSFET Infineon, canale P, 0.8 Ω, 620 mA, SC-59, Montaggio superficiale

Transistor Infineon SIPMOS® a piccolo segnale, transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P, tensione di sorgente di drain massima di -20V con contenitore tipo SOT-23. Le famiglie OptiMOS™ altamente innovative di Infineon includono MOSFET di potenza a canale P. Questi prodotti soddisfano costantemente i requisiti di qualità e prestazioni più elevati nelle specifiche chiave per la progettazione di sistemi di alimentazione, come la resistenza in stato attivo e le caratteristiche di figura del merito. Il modello BSS84P è un MOSFET in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore a montaggio superficiale con eccellenti prestazioni di commutazione. Questo prodotto è particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente.

Modalità potenziata
Livello logico
Classificazione Avalanche
Commutazione rapida
Classificazione DV/dt
Placcatura senza piombo