MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 2.2 Ω Miglioramento, 360 mA, 3 Pin, SC-59, Superficie

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Codice RS:
170-2250
Codice costruttore:
BSR316PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

360mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSR316P

Tipo di package

SC-59

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.6 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Tutti i prodotti in contenitori a piccolo segnale sono adatti per le applicazioni nel settore automobilistico

Le famiglie OptiMOS™ più innovative di Infineon includono MOSFET di potenza a canale P. Questi prodotti soddisfano i requisiti di qualità e prestazioni più elevati nelle specifiche chiave per la struttura del sistema di potenza, ad esempio la resistenza in stato attivo e le caratteristiche dei dati di merito

Modalità potenziata

Placcatura senza piombo

Applicazioni target:

Automobilistico

Consumatore

c.c.-c.c.

eMobility

Controllo motori

Notebook

Caricabatterie a bordo scheda

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