MOSFET Infineon, canale N 20 V, 33 mΩ Miglioramento, 3.8 A, 3 Pin, PG-SC-59, Superficie BSR202NL6327HTSA1

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Codice RS:
273-7310
Codice costruttore:
BSR202NL6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PG-SC-59

Serie

BSR202N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Tensione diretta Vf

800mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

900μm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

800μm

Lunghezza

1.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Quello di Infineon è un MOSFET di segnale piccolo a canale N che soddisfa e supera i requisiti di qualità più elevati in contenitori standard industriali ben noti. Con livelli di affidabilità e capacità di produzione senza pari, questi componenti sono ideali per un'ampia varietà di applicazioni, tra cui illuminazione a LED, ADAS, unità di controllo del corpo, SMPS e controllo del motore.

Conforme a RoHS

Classificato a valanga

Placcatura senza piombo

Modalità di potenziamento

Qualificato secondo AEC Q101

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