MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 3,8 A, SOT-346 (SC-59), Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9386
Codice costruttore:
BSR202NL6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3,8 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-346 (SC-59)

Serie

OptiMOS™ 2

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

33 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.2V

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

500 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Lunghezza

3mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

5,8 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

1.6mm

Altezza

1.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati