MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 3,8 A, SOT-346 (SC-59), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9386
Codice costruttore:
BSR202NL6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3,8 A

Tensione massima drain source

20 V

Serie

OptiMOS™ 2

Tipo di package

SOT-346 (SC-59)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

33 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.2V

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

500 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

1.6mm

Lunghezza

3mm

Carica gate tipica @ Vgs

5,8 nC a 4,5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.1mm

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