MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.5 Ω Miglioramento, 280 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS138WH6433XTMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

480,00 €

(IVA esclusa)

590,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
10000 - 100000,048 €480,00 €
20000 - 200000,045 €450,00 €
30000 +0,043 €430,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5731
Codice costruttore:
BSS138WH6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

280mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25 mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati