MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 280 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5731
Codice costruttore:: BSS138WH6433XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 280 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5731
Codice costruttore:: BSS138WH6433XTMA1
Costruttore:: Infineon

BSS138W SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	280 mA
Tensione massima drain source	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	1 nC a 10 V
Lunghezza	2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 280 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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