MOSFET onsemi, canale P, 280 mΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1142
Codice costruttore:: NTS4173PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 280 mΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

351,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,117 €	351,00 €

**prezzo indicativo

Confronta

Codice RS:: 163-1142
Codice costruttore:: NTS4173PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	10,1 nC a 10 V, 4,8 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale P, 280 mΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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