MOSFET onsemi, canale P, 160 mΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-4767
Codice costruttore:: NTS4101PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 160 mΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 780-4767
Codice costruttore:: NTS4101PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,37 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	329 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	6,4 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale P, 160 mΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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