MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.5 Ω Miglioramento, 280 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie

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Codice RS:
826-9282
Codice costruttore:
BSS138WH6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

280mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Tensione diretta Vf

0.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.25 mm

Altezza

0.8mm

Lunghezza

2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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