MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS214NH6327XTSA1

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
165-5865
Codice costruttore:
BSS214NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-70

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.8mm

Lunghezza

2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.25 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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