MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 240 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS816NWH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7113
Codice costruttore:
BSS816NWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-70

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

240mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.25mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

Transistor MOSFET, Infineon


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