MOSFET Infineon, canale N 20 V, 240 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS816NWH6327XTSA1

Codice RS:: 110-7113
Codice costruttore:: BSS816NWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 20 V, 240 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS816NWH6327XTSA1

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Codice RS:: 110-7113
Codice costruttore:: BSS816NWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SC-70
	Serie	OptiMOS 2
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	240mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-8V, +8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.6nC
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	800μm
	Lunghezza	2mm
	Larghezza	1.25mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SC-70
	Serie OptiMOS 2
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 240mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC
	Minima temperatura operativa -40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 800μm
	Lunghezza 2mm
	Larghezza 1.25mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS serie 2, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,4 A - BSS816NWH6327XTSA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione a bassa tensione nei sistemi elettronici automobilistici e industriali. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui è richiesto un ingombro ridotto e una gestione di potenza modesta.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza in stato attivo di 240 mΩ riduce le perdite di conduzione e il calore
• La corrente di drenaggio massima di 1,4 A consente la commutazione di carichi moderati
• La tensione nominale di drenaggio-sorgente di 20 V supporta le tipiche guide automobilistiche
• La carica gate 0,6 nC consente un azionamento gate più rapido e una perdita di commutazione ridotta
• La dissipazione di potenza di 500 mW consente un funzionamento prolungato con carichi leggeri
• Il limite gate-source 8 V protegge da tensioni di azionamento eccessive

Applicazioni

• Adatto per gli stadi di commutazione nei moduli sensori automobilistici
• Ideale per la commutazione del carico in circuiti ausiliari da 12 V
• Utilizzato con periferiche di gestione della batteria che richiedono un ingombro ridotto
• Può essere utilizzato per il controllo del livello di potenza del segnale nei sistemi di infotainment
• Applicabile alle fasi di gate compatte dell'azionamento del motore per correnti basse

Quale contenitore è adatto per layout di schede ad alta densità?

Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SC-70 che riduce al minimo l'area della scheda e supporta il posizionamento automatizzato.

Come si comporta a temperature ambientali elevate?

Il dispositivo è specificato per il funzionamento da -40 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili tipici delle posizioni automobilistiche sotto il cofano.

Quale intervallo di tensione di azionamento deve essere applicato al gate?

La tensione massima ammissibile da gate a sorgente è di 8 V, pertanto è necessario selezionare i driver gate per rimanere entro questo limite.

In che modo il dispositivo bilancia la velocità di commutazione e l'energia di azionamento del gate?

Con una carica di gate tipica di 0,6 nC, richiede un'energia relativamente bassa per la commutazione, contribuendo all'efficienza nei sistemi con transizioni ripetitive.