MOSFET Infineon, canale N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SC-70, Superficie

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*prezzo indicativo

Codice RS:
827-0030
Codice Distrelec:
304-44-426
Codice costruttore:
BSS214NWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +12V

Tensione diretta Vf

800mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.25mm

Lunghezza

2mm

Altezza

800μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - BSS214NWH6327XTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento compatto a canale N progettato per la commutazione e la gestione di potenza a montaggio superficiale in assemblaggi elettronici limitati. Funziona in un'ampia gamma ambiente adatta a condizioni di temperatura difficili ed è progettato per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente in cui sono richieste una conduzione efficiente e una risposta rapida al gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 20 V consente progetti di alimentazione a bassa tensione
• Rds(on) di 250 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di commutazione
• La carica gate tipica di 0,8 nC supporta transizioni gate veloci
• La corrente di drenaggio continua di 1,5 A gestisce correnti di carico modeste
• La dissipazione massima di 500 mW consente una copertura termica sicura
• La soglia del gate a 12 V massimizza la flessibilità del gate drive

Applicazioni


• Adatto per la commutazione dell'alimentazione dei sensori automobilistici
• Ideale per la gestione della batteria e la disconnessione del carico
• Utilizzato con logica di controllo nei moduli di alimentazione distribuiti
• Può essere utilizzato per piccoli stadi di convertitore CC-CC
• Adatto per la commutazione del percorso di alimentazione dei dispositivi portatili

Quale intervallo termico può tollerare in ambienti estremi?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in zone automobilistiche ad alta temperatura.

Quanto è compatto per layout di schede ad alta densità?


Il componente viene fornito in un piccolo pacchetto SC-70 a montaggio superficiale che misura 2 mm per 1,25 mm con un profilo basso di 0,8 mm.

Quali sono i limiti del gate drive che i progettisti devono rispettare?


La tensione gate-sorgente non deve superare 12 V per evitare di sovratensione del dielettrico gate.

Come si comporta il dispositivo sotto carico continuo?


Supporta una corrente di drenaggio costante di 1,5 A dissipando fino a 500 mW entro i limiti termici.

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