MOSFET Infineon, canale N 60 V, 5 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
249-6899
Codice costruttore:
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PQFN

Serie

IAUZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IAUZ, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 40 A - IAUZ40N06S5N050ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione ad alta corrente in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto nei casi in cui è richiesta una gestione compatta della potenza e una robusta tolleranza termica. Il dispositivo è conforme alle restrizioni ambientali ed è fornito in un contenitore PQFN ad alta efficienza termica ottimizzato per il posizionamento automatizzato.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 5 mΩ consente di ridurre le perdite di conduzione
• I Vds a 60 V supportano le fasi di potenza a media tensione
• La corrente continua di 40 A gestisce la commutazione ad alto carico
• La dissipazione di potenza 81 W consente un carico termico sostenuto
• La carica di gate tipica di 80 nC facilita la previsione dei requisiti di azionamento

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per gli stadi di uscita dei convertitori CC-CC
• Utilizzato con semi-ponti di azionamento del motore in sistemi compatti
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utilizzato per la commutazione industriale su ampie temperature

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per questo dispositivo?


Un gate drive in grado di erogare circa 80 nC al livello Vgs scelto garantisce tempi di commutazione affidabili e perdite di transizione prevedibili.

In che modo l'ambiente termico influisce sulla capacità di corrente continua?


Il valore nominale di dissipazione di 81 W richiede un'adeguata gestione termica del circuito stampato e vie termiche per sostenere correnti continue elevate senza superare i limiti di temperatura di giunzione.

Quali sono i vincoli di tensione e polarità applicabili al gate?


Il gate non deve essere azionato oltre ±20 V rispetto alla sorgente per evitare danni all'ossido del gate.

Quale intervallo di temperatura può tollerare in ambienti industriali?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti difficili e ad alta temperatura.

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