MOSFET Infineon, canale N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 249-6897
Codice costruttore:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1210,00 €

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Codice RS:: 249-6897
Codice costruttore:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	IAUZ
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	14mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PQFN
	Serie IAUZ
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET Infineon serie IAUZ, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - IAUZ30N06S5L140ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma termica ed è costruito per ambienti impegnativi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una notevole gestione della potenza.

Caratteristiche e vantaggi:

• L'Rds(on) di 14 mΩ riduce le perdite di conduzione per un'erogazione di potenza efficiente
• La dissipazione di potenza di 81 W supporta un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La carica gate tipica di 80 nC consente una commutazione controllata con un'energia di azionamento moderata
• La tolleranza del gate di 20 V consente l'uso con circuiti gate-drive a tensione più elevata
• Il contenitore PQFN migliora il percorso termico per i gruppi a montaggio superficiale

Applicazioni

• Adatto per circuiti di distribuzione dell'alimentazione automobilistica da 60 V
• Ideale per i convertitori CC-CC ad alta corrente nei veicoli
• Utilizzato con le fasi di azionamento del motore nell'elettronica automobilistica
• Può essere utilizzato per alimentatori a commutazione che richiedono un montaggio compatto
• Adatto per l'elettronica di controllo ad alta temperatura in ambienti difficili

Quale intervallo di temperatura può sopportare durante il funzionamento?

È progettato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C.

In che modo il pacchetto supporta la gestione termica?

La forma PQFN fornisce un percorso termico diretto al circuito stampato per un migliore trasferimento del calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano alla commutazione?

Aspettatevi una carica di gate tipica di 80 nC alla tensione di gate specificata, richiedendo un driver in grado di alimentare tale carica per transizioni rapide.

Quale metodo di montaggio è destinato all'installazione?

È progettato per il posizionamento a montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.