MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5300TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7484
Codice costruttore:
IRFH5300TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

4.75 mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon IRFH5300 è una famiglia di MOSFET di potenza resistenti ottimizzati per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Livello logico : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 5 V.

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