MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5300TRPBF
- Codice RS:
- 220-7484
- Codice costruttore:
- IRFH5300TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
10,61 €
(IVA esclusa)
12,94 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 60 unità per ottenere la consegna gratuita
In magazzino
- 3860 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,061 € | 10,61 € |
| 100 - 240 | 1,008 € | 10,08 € |
| 250 - 490 | 0,965 € | 9,65 € |
| 500 - 990 | 0,923 € | 9,23 € |
| 1000 + | 0,859 € | 8,59 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7484
- Codice costruttore:
- IRFH5300TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.6W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 4.75 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.6W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 4.75 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IRFH5300 è una famiglia di MOSFET di potenza resistenti ottimizzati per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Livello logico : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 5 V.
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUZ40N06S5N050ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUZ30N06S5L140ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ PQFN, Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ PQFN, Superficie IRFH7004TRPBF
- MOSFET e diodo Infineon 16 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
