MOSFET Infineon, canale N 20 V, 11.70 mΩ Miglioramento, 22 A, PQFN, Foro passante

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Codice RS:
257-9444
Codice costruttore:
IRLHS6242TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

9.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 20 V, corrente di drenaggio continua massima 22 A - IRLHS6242TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento a foro passante progettato per attività di commutazione e controllo della potenza. Funziona in un'ampia gamma ambientale ed è adatto per ambienti in cui sono richiesti contenitori compatti e corrente continua apprezzabile. I limiti elettrici e le caratteristiche termiche principali supportano l'integrazione in gruppi che richiedono un azionamento gate controllato e una dissipazione di potenza moderata.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza alla conduzione riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente continua gestisce correnti di carico più pesanti
• La carica di gate moderata consente una commutazione ragionevolmente rapida
• L'ampia gamma di temperature d'esercizio supporta ambienti difficili
• La tensione nominale di gate controllata protegge contro le sovratensioni dell'azionamento

Applicazioni


• Adatto per la commutazione CC a media tensione e il controllo del carico
• Ideale per i componenti dello stadio di potenza nelle forniture industriali
• Utilizzato con circuiti di azionamento del motore che richiedono una capacità di 22 A
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di protezione
• Adatto per convertitori di potenza compatti in contenitori PQFN

Quali sono le prestazioni termiche da aspettarsi sotto carico?


Dissipa fino a 9,6 W, pertanto è necessaria una gestione termica come il dissipatore o il flusso d'aria per mantenere le temperature di giunzione.

Quali limiti di gate‐drive devono essere rispettati durante la progettazione?


La tensione del gate‐source non deve superare 12 V per evitare sovratensioni sulla struttura del gate di ingresso.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in applicazioni con ampie variazioni di temperatura ambiente.

Quali sono le caratteristiche di commutazione rilevanti per la progettazione dei transienti?


La carica di gate totale tipica è di 14 nC in condizioni nominali di gate‐driver, fornendo informazioni sulle dimensioni del gate‐driver e sui calcoli di perdita di commutazione.

Questo dispositivo è conforme alle comuni direttive ambientali?


Soddisfa i criteri RoHS, indicando l'assenza di sostanze pericolose soggette a restrizioni nella sua struttura.

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