MOSFET Infineon, canale N 30 V, 63 mΩ Miglioramento, 7.60 A, PQFN, Foro passante
- Codice RS:
- 257-9446
- Codice costruttore:
- IRLHS6376TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
668,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,167 € | 668,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9446
- Codice costruttore:
- IRLHS6376TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 63mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 4.9W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 63mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 4.9W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 7,60 A - IRLHS6376TRPBF
Questo MOSFET è un transistor a canale N con modalità di potenziamento progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione nei sistemi elettronici. Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 150 °C e soddisfa i requisiti RoHS, il che lo rende adatto nei casi in cui sono richiesti standard di materiali regolati. Il dispositivo è fornito in un contenitore PQFN progettato per il montaggio a foro passante.
Caratteristiche e vantaggi:
• L'RDS(on) di 63 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• Il VDS da 30 V consente applicazioni di commutazione di potenza a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 7.60 A supporta l'erogazione di carichi sostenuti
• La carica di gate tipica di 2,8 nC consente prestazioni di commutazione ad alta velocità
• La dissipazione di potenza di 4,9 W gestisce il carico termico entro i limiti
• Il VDS da 30 V consente applicazioni di commutazione di potenza a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 7.60 A supporta l'erogazione di carichi sostenuti
• La carica di gate tipica di 2,8 nC consente prestazioni di commutazione ad alta velocità
• La dissipazione di potenza di 4,9 W gestisce il carico termico entro i limiti
Applicazioni
• Adatto per circuiti di azionamento di motori a bassa tensione
• Ideale per le fasi di commutazione secondarie dell'alimentatore
• Utilizzato per attività di gestione della batteria e conversione CC-CC
• Può essere utilizzato per telecomunicazioni e commutazione di controllo industriale
• Adatto per moduli di alimentazione di consumo a gestione termica
• Ideale per le fasi di commutazione secondarie dell'alimentatore
• Utilizzato per attività di gestione della batteria e conversione CC-CC
• Può essere utilizzato per telecomunicazioni e commutazione di controllo industriale
• Adatto per moduli di alimentazione di consumo a gestione termica
Quale tensione di gate può essere applicata senza danni?
La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 12 V.
In che modo la tolleranza termica influisce sull'implementazione?
Il dispositivo funziona da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.
Quali sono le caratteristiche di commutazione tipiche rilevanti per la progettazione del gate drive?
La carica totale tipica del gate è di 2,8 nC in condizioni nominali di gate-drive.
Quale contenitore e metodo di montaggio sono forniti per l'integrazione su circuito stampato?
Viene fornito in un pacchetto PQFN configurato per il montaggio a foro passante.
Questo dispositivo è progettato per l'uso nelle specifiche automobilistiche?
Non è designato come conforme agli standard automobilistici.
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