MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ, 259 A, PQFN, Superficie

Codice RS:: 257-9379
Codice costruttore:: IRFH7004TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ, 259 A, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

2488,00 €

(IVA esclusa)

3036,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
4000 +	0,622 €	2.488,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 257-9379
Codice costruttore:: IRFH7004TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	259A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.4mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd	156W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	129nC
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	0.9mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 259A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PQFN
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd 156W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 129nC
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 0.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFH7004TRPBF

La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 40 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ, 259 A, PQFN, Superficie

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