MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 15 mΩ, 49 A, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 257-9376
- Codice costruttore:
- IRFH6200TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
6676,00 €
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8144,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 1,669 € | 6.676,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9376
- Codice costruttore:
- IRFH6200TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 49A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 155nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 49A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 155nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 20 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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