MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 65 mΩ, 3.4 A, PQFN, Superficie

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Codice RS:
257-5572
Codice costruttore:
IRLHS6276TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

9.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

2 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore di alimentazione a foro passante standard industrialeCorrente nominale elevata

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