MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.25 mΩ, 265 A, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

2664,00 €

(IVA esclusa)

3252,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,666 €2.664,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
257-5529
Codice costruttore:
IRFH7084TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

265A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.25mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

127nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.05mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Contenitore di potenza per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione di seguito <100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

Link consigliati