MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.2 mΩ, 85 A, PQFN, Superficie

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Codice RS:
257-5531
Codice costruttore:
IRFH7545TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.17mm

Larghezza

6 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

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Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione di seguito <100 kHz

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