MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.2 mΩ, 85 A, PQFN, Superficie IRFH7545TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5818
Codice costruttore:
IRFH7545TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Altezza

1.17mm

Larghezza

6 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Contenitore di potenza per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione di seguito <100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

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