MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 9.2 mΩ, 56 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
232-6773
Codice costruttore:
ISZ0703NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.2mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

44W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1mm

Altezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 60 V di Infineon è progettato per applicazioni con USB-PD e adattatori. I prodotti offrono tempi di consegna rapidi e ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

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