MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9.2 mΩ N, 64 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC065N06LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4323
Codice costruttore:
BSC065N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.2mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.35mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 64 A - BSC065N06LS5ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta corrente progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili ed è fornito in un contenitore SuperSO a 8 pin per montaggio superficiale adatto per layout di schede densi. Il dispositivo supporta le attività di conversione di potenza a media tensione in cui sono richieste una commutazione rapida e basse perdite di conduzione.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassissima resistenza in stato attivo di 9.2 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 64 A consente la gestione di carichi pesanti
• La tensione nominale drain-source di 60 V supporta sistemi a media tensione
• La carica gate 10 nC consente transizioni di commutazione rapide
• La dissipazione di potenza massima di 46 W consente un trasferimento di potenza prolungato
• La resistenza gate-source di 20 V consente di gestire le comuni tensioni gate-drive

Applicazioni


• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria per la commutazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per server e schede di regolazione dell'alimentazione di calcolo

Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura.

In che modo il contenitore supporta l'assemblaggio e il layout del circuito stampato?


Il formato a montaggio superficiale SuperSO con un ingombro a 8 pin facilita il posizionamento automatizzato e i percorsi termici conservativi per il raffreddamento della scheda saldata.

Quale comportamento di commutazione possono aspettarsi i progettisti sotto l'azionamento del gate?


Con una carica gate tipica di 10 nC, le transizioni di commutazione sono rapide mantenendo al contempo i requisiti di corrente gate-drive moderati per la maggior parte degli IC driver.

In che modo il dispositivo si adatta ad applicazioni ad alta corrente su schede compatte?


La sua combinazione di capacità di corrente continua di 64 A e bassa resistenza in stato attivo consente ai progettisti di erogare una corrente sostanziale in spazi ristretti sulla scheda, limitando al contempo le perdite I2R.

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