MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9.2 mΩ N, 64 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Codice RS:: 214-4322
Codice costruttore:: BSC065N06LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9.2 mΩ N, 64 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2220,00 €

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Codice RS:: 214-4322
Codice costruttore:: BSC065N06LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	SuperSO
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9.2mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	10nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	46W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.2mm
	Larghezza	6.1mm
	Lunghezza	5.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package SuperSO
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.2mΩ
	Modalità canale N
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 46W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.2mm
	Larghezza 6.1mm
	Lunghezza 5.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC065N06LS5ATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 64 A - BSC065N06LS5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta corrente progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili ed è fornito in un contenitore SuperSO a 8 pin per montaggio superficiale adatto per layout di schede densi. Il dispositivo supporta le attività di conversione di potenza a media tensione in cui sono richieste una commutazione rapida e basse perdite di conduzione.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassissima resistenza in stato attivo di 9.2 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 64 A consente la gestione di carichi pesanti
• La tensione nominale drain-source di 60 V supporta sistemi a media tensione
• La carica gate 10 nC consente transizioni di commutazione rapide
• La dissipazione di potenza massima di 46 W consente un trasferimento di potenza prolungato
• La resistenza gate-source di 20 V consente di gestire le comuni tensioni gate-drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria per la commutazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per server e schede di regolazione dell'alimentazione di calcolo

Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura.

In che modo il contenitore supporta l'assemblaggio e il layout del circuito stampato?

Il formato a montaggio superficiale SuperSO con un ingombro a 8 pin facilita il posizionamento automatizzato e i percorsi termici conservativi per il raffreddamento della scheda saldata.

Quale comportamento di commutazione possono aspettarsi i progettisti sotto l'azionamento del gate?

Con una carica gate tipica di 10 nC, le transizioni di commutazione sono rapide mantenendo al contempo i requisiti di corrente gate-drive moderati per la maggior parte degli IC driver.

In che modo il dispositivo si adatta ad applicazioni ad alta corrente su schede compatte?

La sua combinazione di capacità di corrente continua di 64 A e bassa resistenza in stato attivo consente ai progettisti di erogare una corrente sostanziale in spazi ristretti sulla scheda, limitando al contempo le perdite I2R.