MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 47 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC094N06LS5ATMA1
- Codice RS:
- 215-2465
- Codice costruttore:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2465
- Codice costruttore:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 47A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | SuperSO | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 36W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 47A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package SuperSO | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 36W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il livello logico dei MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 di Infineon è estremamente adatto per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Le figure di merito migliorate consentono operazioni ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'unità di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(The)) che consente ai MOSFET di essere pilotati a 5V e direttamente dai microcontroller.
Bassa R DS(on) in contenitore di piccole dimensioni
Bassa carica di gate
Minore carica di uscita
Compatibilità a livello logico
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