MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 47 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC094N06LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2465
Codice costruttore:
BSC094N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SuperSO

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il livello logico dei MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 di Infineon è estremamente adatto per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. Le figure di merito migliorate consentono operazioni ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'unità di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(The)) che consente ai MOSFET di essere pilotati a 5V e direttamente dai microcontroller.

Bassa R DS(on) in contenitore di piccole dimensioni

Bassa carica di gate

Minore carica di uscita

Compatibilità a livello logico

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