MOSFET Infineon, canale N 30 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Codice RS:: 215-2458
Codice costruttore:: BSC034N03LSGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 30 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

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Codice RS:: 215-2458
Codice costruttore:: BSC034N03LSGATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	63W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	39nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SuperSO
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 63W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC034N03LSGATMA1

La serie OptiMOS™3 di MOSFET di potenza Infineon ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V con contenitore di tipo SuperSO8 5x6. La carica di gate e uscita ultra bassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori a ingombro ridotto, rendono OptiMOS™ 25V la scelta migliore per i requisiti più esigenti di soluzioni di regolatori di tensione in server, applicazioni di trasmissione dati e telecomunicazioni. I prodotti OptiMOS™ 30V sono personalizzati in base alle esigenze di gestione dell'alimentazione nei notebook grazie a un migliore comportamento EMI e a una maggiore durata della batteria. Disponibile in configurazione half-bridge (stadio di potenza 5x6).

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N.; Livello logico

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Eccellente resistenza termica

MOSFET Infineon, canale N 30 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

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