MOSFET Infineon, canale N, 0,0051 Ω, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

La serie OptiMOS™3 di MOSFET di potenza Infineon ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V con contenitore di tipo SuperSO8 5x6. La carica di gate e uscita ultra bassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori a ingombro ridotto, rendono OptiMOS™ 25V la scelta migliore per i requisiti più esigenti di soluzioni di regolatori di tensione in server, applicazioni di trasmissione dati e telecomunicazioni. I prodotti OptiMOS™ 30V sono personalizzati in base alle esigenze di gestione dell'alimentazione nei notebook grazie a un migliore comportamento EMI e a una maggiore durata della batteria. Disponibile in configurazione half-bridge (stadio di potenza 5x6).

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N.