MOSFET Infineon, canale N 30 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC034N03LSGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2459
Codice costruttore:
BSC034N03LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie OptiMOS™3 di MOSFET di potenza Infineon ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V con contenitore di tipo SuperSO8 5x6. La carica di gate e uscita ultra bassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori a ingombro ridotto, rendono OptiMOS™ 25V la scelta migliore per i requisiti più esigenti di soluzioni di regolatori di tensione in server, applicazioni di trasmissione dati e telecomunicazioni. I prodotti OptiMOS™ 30V sono personalizzati in base alle esigenze di gestione dell'alimentazione nei notebook grazie a un migliore comportamento EMI e a una maggiore durata della batteria. Disponibile in configurazione half-bridge (stadio di potenza 5x6).

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N.; Livello logico

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Eccellente resistenza termica

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