MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 98 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Codice RS:: 215-2455
Codice costruttore:: BSC032N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 98 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1620,00 €

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Codice RS:: 215-2455
Codice costruttore:: BSC032N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	98A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Tensione diretta Vf	1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 98A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SuperSO
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Tensione diretta Vf 1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC032N04LSATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 98 A - BSC032N04LSATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione e la conversione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e si adatta ad applicazioni che richiedono basse perdite di conduzione e una notevole gestione della corrente continua all'interno di un pacchetto SuperSO compatto.

Caratteristiche e vantaggi:

• Resistenza in stato attivo molto bassa di 4,4 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Capacità di scarico continuo di 98 A per carichi a corrente elevata
• Valore nominale da drenaggio a sorgente di 40 V per le fasi di potenza a media tensione
• Dissipazione di potenza massima di 52 W per l'intervallo termico
• Carica gate tipica di 25 nC che consente un azionamento gate efficiente
• Funziona da -55 °C a 175 °C per una tolleranza di temperatura estesa

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona nella gestione dell'alimentazione
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono parti a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione di telecomunicazioni e server
• Adatto per sistemi alimentati a batteria che richiedono una commutazione a bassa Vf

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?

I circuiti Drive devono fornire una corrente di picco sufficiente per caricare rapidamente il gate da 25 nC controllando lo slittamento di commutazione per bilanciare la perdita di commutazione e le EMI.

Come deve essere affrontata la gestione termica sul circuito stampato?

Utilizzare piane in rame multistrato e vie termiche sotto l'ingombro SuperSO per distribuire una dissipazione di 52 W e una minore resistenza termica giunzione-scheda.

Quali sollecitazioni elettriche deve sopportare il dispositivo durante gli eventi transitori?

Il dispositivo è classificato per 40 V Vds a stato stazionario

la protezione transitoria, come gli snubber o la soppressione della tensione transitoria, deve essere applicata per limitare il superamento della tensione oltre questo livello.

Esistono pratiche di layout specifiche per ridurre al minimo le perdite di conduzione?

Tracce in rame brevi e ampie per i collegamenti di drenaggio e sorgente e per ridurre al minimo l'induttanza del circuito tra il dispositivo e l'azionamento del gate per preservare il vantaggio di 4,4 mΩ.