MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 133-6576
Codice costruttore:: BSC009NE2LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)

0,563 €

(IVA esclusa)

0,687 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,563 €	2.815,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 133-6576
Codice costruttore:: BSC009NE2LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC009NE2LS5 OptiMOS5 Power MOSFET 25V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,25 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+16 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	43 nC a 10 V
Lunghezza	5.49mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1V

MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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