MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.25 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie
- Codice RS:
- 133-6576
- Codice costruttore:
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3790,00 €
(IVA esclusa)
4625,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,758 € | 3.790,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 133-6576
- Codice costruttore:
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di package | SuperSO | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.25mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 74W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 6.35 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di package SuperSO | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.25mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 74W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 6.35 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 5, 223A corrente di scarico continua massima, 74W dissipazione di potenza massima - BSC009NE2LS5ATMA1
Questo MOSFET ad alte prestazioni è progettato per le applicazioni di gestione dell'alimentazione e garantisce un'efficienza e un'affidabilità eccezionali. Le sue caratteristiche ottimizzate lo rendono adatto a diverse applicazioni di automazione, elettronica ed elettrica. La configurazione a canale N e il design avanzato facilitano la gestione efficace di carichi ad alta corrente mantenendo una bassa resistenza di accensione, rendendolo una scelta preferenziale per i circuiti moderni.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta applicazioni ad alta corrente con una corrente di drenaggio continua massima di 223A
• La bassissima resistenza di accensione aumenta l'efficienza energetica durante il funzionamento
• In grado di resistere a una tensione massima drain-source di 25V
• Presenta un pacchetto SuperSO8 compatto per un efficiente montaggio in superficie
• Offre prestazioni termiche efficaci per la dissipazione del calore
• testato al 100% contro le valanghe per garantire una solida affidabilità
Applicazioni
• Utilizzato nei convertitori buck ad alte prestazioni per un'efficiente regolazione della tensione
• Adatto alla gestione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo
• Implementato nel settore automobilistico dove il design compatto è fondamentale
• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile per un'efficace conversione di potenza
Qual è l'intervallo di temperatura operativa ottimale per l'installazione?
Il dispositivo funziona efficacemente tra -55°C e +150°C, consentendo la versatilità in varie condizioni ambientali.
Può essere utilizzato per applicazioni di raddrizzamento sincrono?
Sì, il basso RDS(on) garantisce perdite di conduzione minime, rendendolo adatto al raddrizzamento sincrono.
Quali sono le precauzioni da adottare durante l'installazione?
Per evitare di danneggiare il MOSFET, è necessario osservare le precauzioni standard per le scariche elettrostatiche (ESD).
Qual è l'impatto della carica del cancello sulle prestazioni?
Una carica di gate tipica di 43nC a 10V aiuta a mantenere velocità di commutazione elevate, migliorando l'efficienza complessiva.
Questo componente è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, è dotato di placcatura al piombo senza Pb ed è conforme alla direttiva RoHS, in linea con i moderni standard ambientali.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.25 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC009NE2LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 950 mΩ SuperSO, Superficie
- MOSFET Infineon 950 mΩ SuperSO, Superficie IRFH8201TRPBF
- MOSFET Infineon 1.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 4.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
