MOSFET Infineon, canale N 200 V, 55 mΩ Miglioramento, 34 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

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Codice RS:
217-2608
Codice costruttore:
IRFH5020TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Altezza

900μm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 200V in contenitore PQFN 5mm X 6mm.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Livello normale : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 10 V.

Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

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