MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 67 mΩ N, 24 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

7105,00 €

(IVA esclusa)

8670,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +1,421 €7.105,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2482
Codice costruttore:
BSC670N25NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.35mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.49 mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS™ Fast Diode (FD) 200V, 250V e 300V è ottimizzata per la commutazione hard diodo del corpo. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a.

Canale N, livello normale

Temperatura nominale 175 °C.

Eccellente carica di gate x RDS(ON) prodotto (FOM)

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Qualificato in base a JEDEC1) per l'applicazione di destinazione

Senza alogeni: in conformità a IEC 61249-2-21

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona

Link consigliati