MOSFET Infineon, canale N 250 V, 67 mΩ N, 24 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC670N25NSFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2483
Codice costruttore:
BSC670N25NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SuperSO

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.35mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.49mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS™ Fast Diode (FD) 200V, 250V e 300V è ottimizzata per la commutazione hard diodo del corpo. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a.

Canale N, livello normale

Temperatura nominale 175 °C.

Eccellente carica di gate x RDS(ON) prodotto (FOM)

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Qualificato in base a JEDEC1) per l'applicazione di destinazione

Senza alogeni: in conformità a IEC 61249-2-21

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona

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