MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 14.4 mΩ, 40 A, PQFN, Superficie IRFH5406TRPBF
- Codice RS:
- 257-9375
- Codice costruttore:
- IRFH5406TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,72 € | 8,60 € |
| 50 - 120 | 1,648 € | 8,24 € |
| 125 - 245 | 1,604 € | 8,02 € |
| 250 - 495 | 1,562 € | 7,81 € |
| 500 + | 1,524 € | 7,62 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9375
- Codice costruttore:
- IRFH5406TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14.4mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 46W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.4mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 46W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 60 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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