MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.3 mΩ, 117 A, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 257-9383
- Codice costruttore:
- IRFH7446TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,539 € | 2.156,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9383
- Codice costruttore:
- IRFH7446TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 117A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 6 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 117A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 6 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 40 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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