MOSFET Infineon, canale N 20 V, 65 mΩ, 3.4 A, PQFN, Superficie IRLHS6276TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5826
Codice costruttore:
IRLHS6276TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

9.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore di alimentazione a foro passante standard industrialeCorrente nominale elevata

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