MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5006TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0973
Codice costruttore:
IRFH5006TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Altezza

0.85mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


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