MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 293 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IRFS3006TRL7PP
- Codice RS:
- 130-0993
- Codice costruttore:
- IRFS3006TRL7PP
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,13 € | 8,26 € |
| 10 - 18 | 3,595 € | 7,19 € |
| 20 - 48 | 3,345 € | 6,69 € |
| 50 - 98 | 3,14 € | 6,28 € |
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- Codice RS:
- 130-0993
- Codice costruttore:
- IRFS3006TRL7PP
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 293A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 200nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 293A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 200nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 9.65mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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