MOSFET Infineon, canale N, 2,1 mΩ, 293 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-6006
Codice costruttore:: IRFS3006TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,1 mΩ, 293 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

2,68 €

(IVA esclusa)

3,27 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	2,68 €	2.144,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6006
Codice costruttore:: IRFS3006TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRFS3006-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	293 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK-7
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	2,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	200 nC a 20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	9.65mm

MOSFET Infineon, canale N, 2,1 mΩ, 293 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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