MOSFET ROHM, canale N, 86 mΩ, 12 A, HSMT, Montaggio superficiale

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Codice RS:
133-3297
Codice costruttore:
RQ3L050GNTB
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

12 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

RQ3L050GN

Tipo di package

HSMT

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

86 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

14,8 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.1mm

Carica gate tipica @ Vgs

5,3 nC a 10 V

Altezza

0.85mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Transistor MOSFET a canale N, ROHM



Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor

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