MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie DMT6007LFG-7
- Codice RS:
- 133-3320
- Codice costruttore:
- DMT6007LFG-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
7,02 €
(IVA esclusa)
8,56 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3920 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,702 € | 7,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 133-3320
- Codice costruttore:
- DMT6007LFG-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Tipo di package | PowerDI3333 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41.3nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 0.8mm | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Tipo di package PowerDI3333 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41.3nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 0.8mm | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0.222 O5 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 21 PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 52 PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 52 PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 60 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0.222 O PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 31 PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
