MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 16 mΩ Miglioramento, 31.8 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie
- Codice RS:
- 222-2876
- Codice costruttore:
- DMT6015LFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,18 € | 360,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2876
- Codice costruttore:
- DMT6015LFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 28.4W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.8 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerDI3333 | ||
Serie DMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 28.4W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.8 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Il contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto consente prodotti finali a densità più elevata
Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica
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