MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 16 mΩ Miglioramento, 31.8 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie DMT6015LFVW-7
- Codice RS:
- 222-2877
- Codice costruttore:
- DMT6015LFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
9,15 €
(IVA esclusa)
11,175 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 250 unità per ottenere la consegna gratuita
Ultimi pezzi su RS
- 1675 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,366 € | 9,15 € |
| 50 - 75 | 0,358 € | 8,95 € |
| 100 - 225 | 0,255 € | 6,38 € |
| 250 - 975 | 0,249 € | 6,23 € |
| 1000 + | 0,162 € | 4,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2877
- Codice costruttore:
- DMT6015LFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 28.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.8 mm | |
| Altezza | 3.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerDI3333 | ||
Serie DMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 28.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.8 mm | ||
Altezza 3.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Il contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto consente prodotti finali a densità più elevata
Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 16 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 11.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMT6008LFG-7
- MOSFET DiodesZetex 11.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 600 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMT35M4LFVW-7
- MOSFET DiodesZetex 6.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMT6007LFG-7
- MOSFET DiodesZetex 13.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMTH69M8LFVWQ-7
- MOSFET DiodesZetex 600 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 6.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
