2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, Tipo N, 38 mΩ, 21 A 30 V, PDI3333, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 133-3340
- Codice costruttore:
- DMC3016LDV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
10,68 €
(IVA esclusa)
13,02 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,534 € | 10,68 € |
| 100 - 480 | 0,47 € | 9,40 € |
| 500 - 980 | 0,458 € | 9,16 € |
| 1000 - 1980 | 0,446 € | 8,92 € |
| 2000 + | 0,436 € | 8,72 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 133-3340
- Codice costruttore:
- DMC3016LDV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PDI3333 | |
| Serie | DMC3016LDV | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 38mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 700mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.8W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 800μm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.15mm | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PDI3333 | ||
Serie DMC3016LDV | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 38mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 700mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 800μm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.15mm | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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